Samsung Electronics hat einen bedeutenden Durchbruch auf dem Markt für Speicher mit hoher Bandbreite erzielt, indem sein HBM4-Speicher der nächsten Technology bei Geschwindigkeits- und Energieeffizienztests für Nvidias kommenden KI-Beschleuniger Vera Rubin die Konkurrenz übertraf Wirtschaftszeitung Maeil. Bei einem Besuch letzte Woche bestätigten Nvidia-Vertreter, dass Samsung „die besten Ergebnisse in der Speicherbranche“ lieferte, was zu einer Nachfrage nach Liefermengen führte, die weit über den internen Prognosen von Samsung lagen. Dieser Erfolg stellt eine dramatische Kehrtwende gegenüber der HBM3E-Technology dar, bei der Samsung quick ein Jahr hinter der Konkurrenz zurückblieb.

Die Trendwende wird auf eine risikoreiche technische Strategie zurückgeführt, bei der Samsung den D1b-DRAM-Prozess komplett übersprungen hat, um direkt zum 10-Nanometer-D1c-Prozess überzugehen. Durch die Kombination dieses neuen DRAM mit Logikchips, die in einem 4-Nanometer-Gießverfahren hergestellt wurden, erreichte Samsung als erster Hersteller Datenübertragungsgeschwindigkeiten von mehr als 11 Gigabit professional Sekunde. Während SK Hynix einen Vorsprung von rund drei Monaten hat und bereits mit der Lieferung kostenpflichtiger Muster begonnen hat, hat Samsung den Abstand zur Vorgängergeneration erfolgreich verringert.

Die Marktdaten spiegeln diese Erholung wider: Samsung eroberte im dritten Quartal 2025 mit einem Anteil von 22 % den zweiten Platz im HBM-Markt zurück und überholte Micron. Es wird erwartet, dass die Verträge im ersten Quartal 2026 formalisiert werden. Die vollständigen Lieferungen sind für das zweite Quartal geplant, um den Zeitplan von Nvidia einzuhalten Vera Rubin Plattformstart im dritten Quartal 2026.

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Seoul, 12. September 2025-SK Hynix Inc. kündigte an, die Entwicklung abgeschlossen zu haben und die Vorbereitung eines HBM4-Produkts der nächsten Era mit Hochgebietspeichern abgeschlossen zu haben.

Das Unternehmen sagte, dass HBM4 vertikal mehrere DRAM -Chips miteinander verbindet und die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit im Vergleich zu herkömmlichen DRAM -Produkten erhöht. Es gibt sechs Generationen von HBM, beginnend mit dem ursprünglichen HBM, gefolgt von HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E und HBM4.

SK Hynix sagte, das Unternehmen habe die Entwicklung erfolgreich abgeschlossen und die HBM4 -Massenproduktion vorbereitet, um die KI -Ära zu leiten. Durch diese Dynamik hat das Unternehmen die KI -Speicherführung auf dem globalen Markt erneut bewiesen.

„Der Abschluss der HBM4 -Entwicklung wird ein neuer Meilenstein für die Branche sein“, sagte Joohwan Cho, Leiter der HBM -Entwicklung bei SK Hynix, der die Entwicklung geleitet hat. „Durch die Lieferung des Produkts, das die Kundenbedürfnisse in Bezug auf Leistung, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit rechtzeitig entspricht, wird das Unternehmen die Zeit erfüllen, um die Wettbewerbsposition zu vermarkten und aufrechtzuerhalten.“

Angesichts der jüngsten Zunahme der KI -Nachfrage und der Datenverarbeitung steigt der Bedarf an hohem Bandbreitenspeicher für eine schnellere Systemgeschwindigkeit. Darüber hinaus hat sich die Sicherung von Speicherleistungseffizienz als wichtige Anforderung für Kunden herausgestellt, da der Stromverbrauch für den Betrieb des Rechenzentrums zugenommen hat. SK Hynix erwartet, dass HBM4 mit erhöhter Bandbreite und Stromeffizienz die optimale Lösung ist, um die Bedürfnisse der Kunden zu erfüllen.

Das HBM4, von dem das Massenproduktionssystem vorbereitet wurde, hat die beste Datenverarbeitungsgeschwindigkeit und -stromeffizienz der Branche, wobei die Bandbreite durch die Einführung von 2.048 I/A -Terminals, doppelt aus der vorherigen Era und die Stromeffizienz um mehr als 40 Prozent verdoppelt wurde. Das Unternehmen erwartet, dass die Leistung der KI -Providers bei der Anwendung des Produkts um bis zu 69% verbessert wird, was dazu führt, dass Daten Engpässe gelöst und die Stromkosten des Rechenzentrums erheblich gesenkt werden.

Das Unternehmen hat die Standardbetriebsgeschwindigkeit der JEDEC (Joint Electron System Engineering Council) überschritten, indem sie über 10 Gbit / s (Gigabit professional Sekunde) in HBM4 implementiert wurde.

Darüber hinaus verabschiedete das Unternehmen den fortgeschrittenen MR-MUF-Prozess (Mass Reflow Molded Underfill) in HBM4, der sich als zuverlässig auf dem Markt als zuverlässig erwiesen hat, und den 1BNM-Prozess oder die fünfte Era der 10-Nanometer-Technologie, um das Risiko in der Massenproduktion zu minimieren.

„Wir stellen die Gründung des weltweit ersten Massenproduktionssystems von HBM4 vor“, Justin Kim, Präsident und Leiter von AI Infra bei SK Hynixsagte. „HBM4, ein symbolischer Wendepunkt über die Einschränkungen der KI -Infrastruktur hinaus, wird ein Kernprodukt für die Überwindung technologischer Herausforderungen sein.“ „Wir werden zu einem Full-Stack-KI-Speicheranbieter wachsen, indem wir Speicherprodukte mit der besten Qualität und der vielfältigen Leistung liefern, die für die KI-Ära rechtzeitig erforderlich sind.“